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GaN HEMT外延材料
外延材料
所屬行業(yè):
新材料
合作信息期限:
2020-2
參考價(jià)格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類型:
科研院所
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡介:
【技術(shù)簡介】GaN HEMT材料具有低的導(dǎo)通電阻、高的工作頻率,能滿足下一代功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。相對于同為寬禁帶半導(dǎo)體的SiC大功率器件,GaN高功率器件不僅具有耐高壓以及高電流的特性,更具有開關(guān)速度快,在同樣的耐壓條件下,導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)低于SiC功率器件等優(yōu)..
大尺寸硅外延生產(chǎn)技術(shù)
大尺寸
硅外延
生產(chǎn)技術(shù)
所屬行業(yè):
新材料
合作信息期限:
2016-2
參考價(jià)格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡介:
【技術(shù)簡介】通過對外延設(shè)備在硅片上再生長一層外延層的控制、不同的參雜等,可滿足不同客戶的產(chǎn)品需求。外延工藝是以 SiHCl3為源,通過中頻加熱方式進(jìn)行氣相淀積,電阻率、厚度、均勻性和重復(fù)性均能得到較好的控制。 【技術(shù)特點(diǎn)】已完全掌握6~8英寸硅外延工藝和技術(shù),產(chǎn)品及工藝技術(shù)水平國內(nèi)..
新一代無線移動(dòng)通信用射頻集成電路及模塊
無線移動(dòng)通信
射頻
集成電路
所屬行業(yè):
電子信息
合作信息期限:
2016-2
參考價(jià)格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡介:
【技術(shù)簡介】 (1)射頻控制類集成電路技術(shù)。采用成熟的0.5um PHEMT技術(shù)加工的PHEMT具有較低的溝道電阻,較高的擊穿電壓,加上精確的金屬膜電阻技術(shù)和通孔技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)低插損、高隔離的射頻開關(guān)芯片設(shè)計(jì)。 (2)GaAs多功能IC的設(shè)計(jì)技術(shù)。在IC設(shè)計(jì)中,采用E/D PHEMT技術(shù),將增強(qiáng)型和耗盡型..
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