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銻化物超晶格紅外探測(cè)外延材料
外延材料
所屬行業(yè):
新材料
合作信息期限:
2019-8
參考價(jià)格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類型:
科研院所
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡(jiǎn)介:
【技術(shù)簡(jiǎn)介】銻化物超晶格紅外焦平面探測(cè)器技術(shù),是近年來發(fā)展十分迅速的第三代高性能制冷型紅外探測(cè)技術(shù)。其良好的均勻性、相對(duì)較低的制備難度、較高的成品率以及與碲鎘汞材料相當(dāng)?shù)募t外技術(shù)性能,使得整個(gè)紅外探測(cè)器組件滿足了當(dāng)前多種裝備平臺(tái)應(yīng)用所必須的:成本、體積、重量、功耗(C-SWaP)等控..
高性能氮化鎵基電子材料
微電子
氮化鎵
所屬行業(yè):
機(jī)械、電子信息、先進(jìn)裝備制造
合作信息期限:
2016-12
參考價(jià)格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡(jiǎn)介:
【技術(shù)領(lǐng)域】微電子與電子信息 【技術(shù)開發(fā)單位】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【技術(shù)簡(jiǎn)介】采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法,在藍(lán)寶石或碳化硅襯底上外延高性能氮化鎵(GaN)基電子材料。 【技術(shù)特點(diǎn)】采用本技術(shù)制備GaN基電子材料,生長(zhǎng)速度快,產(chǎn)量高,質(zhì)量、重復(fù)性和均勻性..
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頁 總數(shù):
2
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