合作信息
高性能氮化鎵基電子材料
發(fā)布單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
所屬行業(yè)：機(jī)械、電子信息、先進(jìn)裝備制造
合作信息類型：意向合作
機(jī)構(gòu)類型：企業(yè)
供求關(guān)系：供應(yīng)
合作信息期限：2016-12
參考價(jià)格：面議
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合作信息簡(jiǎn)介
【技術(shù)領(lǐng)域】微電子與電子信息
【技術(shù)開發(fā)單位】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
【技術(shù)簡(jiǎn)介】采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法，在藍(lán)寶石或碳化硅襯底上外延高性能氮化鎵（GaN）基電子材料。
【技術(shù)特點(diǎn)】采用本技術(shù)制備GaN基電子材料，生長(zhǎng)速度快，產(chǎn)量高，質(zhì)量、重復(fù)性和均勻性好。利用制備材料已研制出國(guó)內(nèi)第一支GaN基HEMT和X波段GaN基功率器件，國(guó)內(nèi)第一塊GaN功率MMIC，以及國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)的GaN基功率器件。
【技術(shù)水平】已達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，部分指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，GaN基電子材料主要指標(biāo)如下：
（1）尺寸：2英寸或3英寸；
?。?）平均方塊電阻：270Ω/□～400Ω/□；
?。?）方塊電阻不均勻性：＜3％ ；
?。?）室溫二維電子氣遷移率：＞1800cm2/Vs；
?。?）10μm×10μm范圍表面粗糙度：＜0.5nm。
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】該材料適于研制高頻、大功率GaN基功率器件和單片集成電路，在手機(jī)基站、衛(wèi)星通信、航空航天等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用前景和市場(chǎng)潛力。
【專利狀態(tài)】已獲得專利14項(xiàng)，申請(qǐng)專利1項(xiàng)。
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)階段
【合作方式】技術(shù)轉(zhuǎn)讓 股權(quán)投資 風(fēng)險(xiǎn)投資 合作開發(fā)
【投入需求】外延材料生長(zhǎng)的MOCVD設(shè)備、測(cè)試設(shè)備及超凈工藝間。
【預(yù)期效益】目前碳化硅襯底的GaN基電子材料，3英寸的大約10萬元/片，2英寸的大約5～8萬元/片。利用本技術(shù)建立2～3英寸GaN基電子材料研制平臺(tái)，可滿足國(guó)內(nèi)器件和電路研制單位對(duì)GaN基電子材料的需求。按照兩臺(tái)（2英寸和3英寸各一臺(tái)）3片MOCVD系統(tǒng)估計(jì)，每年可生長(zhǎng)2英寸和3英寸外延片各1500片，預(yù)計(jì)經(jīng)濟(jì)效益可超過2億元。
【聯(lián)系方式】王曉亮 010-82304170 13910513723
【技術(shù)開發(fā)單位】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
【技術(shù)簡(jiǎn)介】采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法，在藍(lán)寶石或碳化硅襯底上外延高性能氮化鎵（GaN）基電子材料。
【技術(shù)特點(diǎn)】采用本技術(shù)制備GaN基電子材料，生長(zhǎng)速度快，產(chǎn)量高，質(zhì)量、重復(fù)性和均勻性好。利用制備材料已研制出國(guó)內(nèi)第一支GaN基HEMT和X波段GaN基功率器件，國(guó)內(nèi)第一塊GaN功率MMIC，以及國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)的GaN基功率器件。
【技術(shù)水平】已達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，部分指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，GaN基電子材料主要指標(biāo)如下：
（1）尺寸：2英寸或3英寸；
?。?）平均方塊電阻：270Ω/□～400Ω/□；
?。?）方塊電阻不均勻性：＜3％ ；
?。?）室溫二維電子氣遷移率：＞1800cm2/Vs；
?。?）10μm×10μm范圍表面粗糙度：＜0.5nm。
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】該材料適于研制高頻、大功率GaN基功率器件和單片集成電路，在手機(jī)基站、衛(wèi)星通信、航空航天等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用前景和市場(chǎng)潛力。
【專利狀態(tài)】已獲得專利14項(xiàng)，申請(qǐng)專利1項(xiàng)。
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)階段
【合作方式】技術(shù)轉(zhuǎn)讓 股權(quán)投資 風(fēng)險(xiǎn)投資 合作開發(fā)
【投入需求】外延材料生長(zhǎng)的MOCVD設(shè)備、測(cè)試設(shè)備及超凈工藝間。
【預(yù)期效益】目前碳化硅襯底的GaN基電子材料，3英寸的大約10萬元/片，2英寸的大約5～8萬元/片。利用本技術(shù)建立2～3英寸GaN基電子材料研制平臺(tái)，可滿足國(guó)內(nèi)器件和電路研制單位對(duì)GaN基電子材料的需求。按照兩臺(tái)（2英寸和3英寸各一臺(tái)）3片MOCVD系統(tǒng)估計(jì)，每年可生長(zhǎng)2英寸和3英寸外延片各1500片，預(yù)計(jì)經(jīng)濟(jì)效益可超過2億元。
【聯(lián)系方式】王曉亮 010-82304170 13910513723
