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高性能功率VDMOS/IGBT晶體管
高性能
VDMOS/IGBT
晶體管
所屬行業(yè):
電子信息
合作信息期限:
2016-2
參考價(jià)格:
面議
合作信息類型:
成果轉(zhuǎn)讓
機(jī)構(gòu)類型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡(jiǎn)介:
【技術(shù)簡(jiǎn)介】功率VDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件,其主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。 功率MOS晶體管一般用作開(kāi)關(guān)電源或電機(jī)控制器的主開(kāi)關(guān)器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此,新型功率MOS晶體管是高新設(shè)備中非常重要的基礎(chǔ)器件..
高性能功率IGBT晶體管的關(guān)鍵技術(shù)
IGBT晶體管
所屬行業(yè):
電子信息
合作信息期限:
2016-1
參考價(jià)格:
面議
合作信息類型:
技術(shù)協(xié)作
機(jī)構(gòu)類型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡(jiǎn)介:
【技術(shù)簡(jiǎn)介】功率IGBT晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件,其主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)迅速、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。 由于開(kāi)關(guān)迅速,在開(kāi)關(guān)電源等變流裝置中,可使電路在更高的頻率下工作,因此可大大減小變壓器的體積和重量。由于驅(qū)動(dòng)功率小,使驅(qū)動(dòng)電路大大簡(jiǎn)化,元器件數(shù)量減少,故障..
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