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        合作信息
        高性能功率IGBT晶體管的關(guān)鍵技術(shù)
        發(fā)布單位:西安衛(wèi)光科技有限公司
        所屬行業(yè):電子信息
        合作信息類型:技術(shù)協(xié)作
        機(jī)構(gòu)類型:企業(yè)
        供求關(guān)系:供應(yīng)
        合作信息期限:2016-1
        參考價(jià)格:面議
        0
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        合作信息簡(jiǎn)介
        【技術(shù)簡(jiǎn)介】功率IGBT晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件,其主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)迅速、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。

          由于開(kāi)關(guān)迅速,在開(kāi)關(guān)電源等變流裝置中,可使電路在更高的頻率下工作,因此可大大減小變壓器的體積和重量。由于驅(qū)動(dòng)功率小,使驅(qū)動(dòng)電路大大簡(jiǎn)化,元器件數(shù)量減少,故障率降低;由于安全工作區(qū)寬、熱穩(wěn)定性好,因此使用中不易燒毀,可提高設(shè)備的可靠性。

          功率IGBT晶體管一般用作開(kāi)關(guān)電源或電機(jī)控制器的主開(kāi)關(guān)器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此,新型功率IGBT晶體管是高新設(shè)備中非常重要的基礎(chǔ)器件,對(duì)電源系統(tǒng)小型化、高性能化而言是必不可少的;對(duì)提高整機(jī)的性能具有十分重要的、普遍的意義。

          迄今,我國(guó)民用功率IGBT晶體管依然主要依靠進(jìn)口,批量生產(chǎn)的技術(shù)平臺(tái)沒(méi)有得到很好的建立。已經(jīng)影響到電力電子行業(yè),尤其是汽車電子、電力傳動(dòng)、動(dòng)力電能轉(zhuǎn)換設(shè)備的性能提升。因此,實(shí)現(xiàn)功率IGBT晶體管軍轉(zhuǎn)民的產(chǎn)業(yè)化,對(duì)打破國(guó)外技術(shù)壟斷、實(shí)現(xiàn)自主創(chuàng)新,建立節(jié)約型社會(huì)、實(shí)現(xiàn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展等均具有十分重要的意義。

          【主要技術(shù)指標(biāo)】

          WGG75GB060S    VCEO=600V,IC=75A,
          WGG200GB060S   VCEO=600V,IC=200A,
          WGG400GB060S   VCEO=600V,IC=400A,
          WGM75B120VCEO=1200V,IC=75A, 
          WGM400B120VCEO=1200V,IC=400A, 
          WGM200B120VCEO=1200V,IC=200A,
          WGG75GB0170S   VCEO=1700V,IC=75A,
          WGG200GB170S   VCEO=1700V,IC=200A,
          WGG400GB170S    VCEO=1700V, IC=400A。

          【技術(shù)特點(diǎn)】功率IGBT晶體管采用非穿通的結(jié)構(gòu),少子壽命長(zhǎng),隨溫度變化幅度很小,開(kāi)關(guān)速度不依賴溫度變化,在工作溫度范圍內(nèi)保持相對(duì)穩(wěn)定。采用了透明集電極發(fā)射區(qū)可抽取過(guò)剩載流子,從而適合1000V以上的高壓大電流應(yīng)用。下降時(shí)間短、無(wú)拖尾是非穿通型IGBT的主要特點(diǎn),開(kāi)關(guān)損耗小是其優(yōu)點(diǎn)之一。非穿通型IGBT高溫特性好,通態(tài)壓降從小電流開(kāi)始隨工作溫度升高而變大,構(gòu)成正溫度系數(shù)。非穿通型IGBT的結(jié)構(gòu)決定了實(shí)現(xiàn)高壓的可能性。NPT型IGBT在微細(xì)加工技術(shù)的基礎(chǔ)上,吸收了MOSFET、BJT、GTO的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),因此少數(shù)載流子壽命很長(zhǎng),實(shí)現(xiàn)了小的通態(tài)電壓降,并由于透明集電極發(fā)射區(qū)可抽取過(guò)剩載流子,從而減小了開(kāi)關(guān)損耗。非穿通型IGBT芯片厚度是傳統(tǒng)IGBT芯片厚度的2/5,熱量容易從芯片發(fā)熱區(qū)傳出;在無(wú)鉗位感性開(kāi)關(guān)(UIS)中可承受高的二次雪崩擊穿電壓。

          【適用范圍】太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電、風(fēng)能并網(wǎng)發(fā)電、開(kāi)關(guān)電源、充電樁、汽車電子等。

          【專利狀態(tài)】實(shí)用新型專利2項(xiàng)。

          【技術(shù)狀態(tài)】小批量批量生產(chǎn)階段。

          【合作方式】

         ?。?) 投資需求。尋求投資擴(kuò)大產(chǎn)能,功率IGBT生產(chǎn)線產(chǎn)能達(dá)到8千片/月,資金需求1億元,實(shí)施周期24個(gè)月;模塊封裝生產(chǎn)線產(chǎn)能達(dá)到50萬(wàn)支/月,資金需求0.7億元,實(shí)施周期18個(gè)月。
         ?。?)合作研發(fā)。與中小型電力電力傳動(dòng)及汽車電子等廠商及控股股東展開(kāi)合作,共同開(kāi)展復(fù)雜功率IGBT晶體管模塊產(chǎn)品研制。
         ?。?)技術(shù)服務(wù)。與各省市高新區(qū)、西部省區(qū)合作建設(shè)綠色能源示范工程(風(fēng)電、太陽(yáng)能、LED照明等)。

          【預(yù)期效益】功率IGBT作為交直流轉(zhuǎn)換、變頻器、逆變器等電力變換裝置的核心部件,伴隨著新能源汽車和風(fēng)力發(fā)電的大力推廣,應(yīng)用需求與日俱增。

          以新能源汽車為例,中國(guó)現(xiàn)已是世界第一能源消費(fèi)大國(guó),能源以上升為國(guó)家戰(zhàn)略安全問(wèn)題,中國(guó)發(fā)展新能源汽車比任何國(guó)家更加緊迫,新能源汽車能大大降低我國(guó)對(duì)外能源依賴度的同時(shí),有利于我國(guó)油價(jià)調(diào)控。為保持我國(guó)未來(lái)經(jīng)濟(jì)的快速可持續(xù)發(fā)展,同時(shí)響應(yīng)國(guó)家規(guī)劃中重點(diǎn)提及和大力扶持的新能源汽車政策,倡導(dǎo)低碳、節(jié)能、環(huán)保的精神。

          截止2011年,全國(guó)機(jī)動(dòng)車保有量達(dá)到2.25億輛,汽車保有量達(dá)到1.06億輛,位居世界第二(美國(guó)汽車保有量為2.85億輛)。公交大巴約50萬(wàn)輛,出租車約120萬(wàn)輛。全面推廣新能源汽車,可非常直接有效的降低尾氣排放,改善空氣質(zhì)量,提升城市人民生活幸福指數(shù)。

          本項(xiàng)目完成后,僅新能源汽車這一方面將使我公司的功率IGBT生產(chǎn)能力大大增強(qiáng),形成年產(chǎn)新能源汽車用功率IGBT模塊5萬(wàn)塊的生產(chǎn)能力,實(shí)現(xiàn)年均銷售收入1.5億元。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年平均新增凈利潤(rùn)為1728萬(wàn)元,銷售利潤(rùn)率為11.52%;成本費(fèi)用利潤(rùn)率為13.48%,總投資利潤(rùn)率34.56%;稅后靜態(tài)投資回收期為4.74年(含建設(shè)期1年)。

          上述數(shù)據(jù)表明:該項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益好,能為企業(yè)增加較大的利潤(rùn),投資回收期短,抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng),全面衡量結(jié)果認(rèn)為:本項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益好,項(xiàng)目可行。

          【聯(lián)系方式】劉文輝029-84508244 18991165860
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