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ITO靶材(使用后)
靶材
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
使用該ITO靶材鍍膜后,ITO導(dǎo)電膜的性能參數(shù):導(dǎo)電性能約180μΩ·cm(滿足產(chǎn)品生產(chǎn)要求)透光率>87%(滿足產(chǎn)品生產(chǎn)要求)耐熱實(shí)驗(yàn)合格泡堿實(shí)驗(yàn)合格耐堿實(shí)驗(yàn)合格蝕刻性能合格
ITO靶材和銅背板
靶材
銅背板
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥99.3%(理論密度7.15g/cm3)電阻率≤1.8Ω·mm2/m失氧率≤0.5%物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物內(nèi)部缺陷..
ITO圓筒靶
圓筒靶
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥99.3%(理論密度7.15g/cm3)電阻率≤1.8Ω·mm2/m失氧率≤0.5%物理規(guī)格呈圓筒狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物內(nèi)部缺..
ITO靶材
靶材
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥99.3%(理論密度7.15g/cm3)電阻率≤1.8Ω·mm2/m失氧率≤0.5%物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物內(nèi)部缺陷..
ITO靶材
靶材
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥99.5%(理論密度7.15g/cm3)電阻率≤1.8Ω·mm2/m失氧率≤0.5%物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物內(nèi)部缺陷..
ITO圓靶
圓靶
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥99.3%(理論密度7.15g/cm3)電阻率≤1.8Ω·mm2/m失氧率≤0.5%物理規(guī)格呈圓片狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物內(nèi)部缺陷內(nèi)部無裂..
大尺寸ITO平面靶材
平面靶材
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)純度4N(雜質(zhì)含量見附表)規(guī)格尺寸800X272X6mmt相對(duì)密度≥99.5%(理論密度7.15g/cm3)電阻率≤1.8Ω·mm2/m失氧率≤0.5%物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾..
ITO低密度小圓片Dia30*40
小圓片
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=95:5(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)規(guī)格Dia.30X40mmt純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥60%(±2%)物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物內(nèi)部缺陷內(nèi)部無裂紋,無異物
ITO低密度小圓片Dia.25*10
小圓片
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=95:5(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)規(guī)格Dia.25X10mmt純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥60%(±2%)物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物內(nèi)部缺陷內(nèi)部無裂紋,無異物
ITO旋轉(zhuǎn)靶(綁定后)
ITO旋轉(zhuǎn)靶
所屬行業(yè):
機(jī)械
鑒定時(shí)間:
2013年
產(chǎn)品價(jià)格:
面議
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)純度4N(雜質(zhì)含量見附表)相對(duì)密度≥99.3%(理論密度7.15g/cm3)電阻率≤1.8Ω·mm2/m失氧率≤0.5%物理規(guī)格呈圓筒狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物..
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