新產(chǎn)品信息
ITO靶材
發(fā)布單位:廣西晶聯(lián)光電材料有限責(zé)任公司
所屬行業(yè):機(jī)械
鑒定時(shí)間:2013年
產(chǎn)品價(jià)格:面議
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收藏?cái)?shù)
主要成分In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶要求為準(zhǔn)
純度4N(雜質(zhì)含量見附表)
相對(duì)密度≥99.5%(理論密度7.15g/cm3)
電阻率≤1.8Ω·mm2/m
失氧率≤0.5%
物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定
外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物
內(nèi)部缺陷內(nèi)部無裂紋,無異物
純度4N(雜質(zhì)含量見附表)
相對(duì)密度≥99.5%(理論密度7.15g/cm3)
電阻率≤1.8Ω·mm2/m
失氧率≤0.5%
物理規(guī)格呈片狀或其他形狀,其尺寸及偏差由供需雙方商定
外觀質(zhì)量外觀顏色均勻;表面平整,無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物和污染物
內(nèi)部缺陷內(nèi)部無裂紋,無異物