1956年，在我國十二年科學技術發展遠景規劃中，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創建中國半導體科學技術的研究發展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所（以下簡稱半導體所），開啟了中國半導體科學技術的發展之路。

      半導體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導體所區）；兩個院級實驗室（中心）—半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發中心。此外，還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、元器件檢測中心和半導體能源研究發展中心。并成立了圖書信息中心，為研究所提供科研支撐服務。

      半導體研究所現有職工690余名，其中科技人員480余名，中國科學院院士8名，中國工程院院士2名，正副研究員及高級工程技術人員209名，“百人計劃”入選者及國家“杰青”獲得者44人次、國家百千萬人才工程入選者6名。其中黃昆先生榮獲2001年度國家最高科學技術獎。設有3個博士后流動站，3個一級學科博士培養點，3個工程碩士培養點，。

      半導體所高度重視國內外交流合作，與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發（轉移）中心、9個聯合實驗室，積極為企業和區域經濟社會發展服務。同時積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作，成績顯著，科學技術部和國家外國專家局批準成立“國家級國際聯合研究中心”。并且以自主知識產權的專利和專有技術投資，融合社會資本建立了10余家高技術企業，并實施科研成果轉化為現實生產力，已初步形成產業化、商品化規模。

      半導體所秉承“以人為本、創新跨越、唯真求實、和諧發展”的辦所理念，奮斗不息，勇攀高峰，取得了快速發展，研究所已逐漸發展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究機構。

      半導體所的中長期發展戰略目標是：開展與國家發展密切相關的、世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰略性科技創新活動，為發展我國的高新技術提供源源不斷的動力；以國家戰略需求為導向，開展戰略高技術研究，為國民經濟和國防建設提供科技支撐，并為相關行業的技術進步作出貢獻；吸引、聚集和培養國際一流人才；建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平臺，實現科技創新能力的跨越和持續發展，成為引領我國半導體科學技術發展的火車頭。