合作信息
薄膜電路用大尺寸精密氧化鋁陶瓷基片
發(fā)布單位:中國建筑材料科學研究總院
所屬行業(yè):電子信息
合作信息類型:意向合作
機構(gòu)類型:企業(yè)
供求關(guān)系:供應
合作信息期限:2016-5
參考價格:面議
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合作信息簡介
【技術(shù)開發(fā)單位】中國建筑材料科學研究總院
【技術(shù)簡介】技術(shù)源自于起爆器用高純超精拋光氧化鋁陶瓷基片。通過研發(fā)掌握了高純氧化鋁陶瓷基片的成型、致密、超精拋光等關(guān)鍵技術(shù),基片產(chǎn)品的材料性能及光學性能優(yōu)異,處于國內(nèi)領(lǐng)先水平??蓱糜诤衲る娐?、薄膜電路基板,還可作為陶瓷覆銅板、半導體致冷器、臭氧發(fā)生器及電子陶瓷元件的薄型承燒板。
【技術(shù)特點】該技術(shù)攻克了高純氧化鋁陶瓷基片成型、燒結(jié)、拋光過程的各項難題,良好的控制了晶粒尺寸、微觀缺陷、微氣孔等材料微觀結(jié)構(gòu),研制出的氧化鋁陶瓷基片具有優(yōu)異的電性能、物理性能及光學性能。與國外同類產(chǎn)品技術(shù)指標對比,材料性能可達到國外同類產(chǎn)品水平。
【技術(shù)指標】
氧化鋁含量:>99.9%;
體積密度:>3.95g/cm3;
體積電阻:>1015Ω?cm;
介電常數(shù)(1MHz):9.96;
表面粗糙度Ra:0.004-0.008μm;
Ry:0.02-0.08μm;
平整度:0.005mm;
尺寸規(guī)格:5英寸及以下規(guī)格。
【技術(shù)水平】國內(nèi)領(lǐng)先
【可應用領(lǐng)域和范圍】電子行業(yè)
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)階段
【合作方式】合作開發(fā)、風險投資、產(chǎn)品銷售
【投入需求】500萬元
【轉(zhuǎn)化周期】1年
【預期效益】該技術(shù)的轉(zhuǎn)化成功將提高國內(nèi)電子行業(yè)陶瓷基片高端產(chǎn)品的制造水平,改善目前大尺寸高純精拋氧化鋁陶瓷基片以國外進口為主的局面。
【聯(lián)系方式】張洪波 010-51167571/13501322918
【技術(shù)簡介】技術(shù)源自于起爆器用高純超精拋光氧化鋁陶瓷基片。通過研發(fā)掌握了高純氧化鋁陶瓷基片的成型、致密、超精拋光等關(guān)鍵技術(shù),基片產(chǎn)品的材料性能及光學性能優(yōu)異,處于國內(nèi)領(lǐng)先水平??蓱糜诤衲る娐?、薄膜電路基板,還可作為陶瓷覆銅板、半導體致冷器、臭氧發(fā)生器及電子陶瓷元件的薄型承燒板。
【技術(shù)特點】該技術(shù)攻克了高純氧化鋁陶瓷基片成型、燒結(jié)、拋光過程的各項難題,良好的控制了晶粒尺寸、微觀缺陷、微氣孔等材料微觀結(jié)構(gòu),研制出的氧化鋁陶瓷基片具有優(yōu)異的電性能、物理性能及光學性能。與國外同類產(chǎn)品技術(shù)指標對比,材料性能可達到國外同類產(chǎn)品水平。
【技術(shù)指標】
氧化鋁含量:>99.9%;
體積密度:>3.95g/cm3;
體積電阻:>1015Ω?cm;
介電常數(shù)(1MHz):9.96;
表面粗糙度Ra:0.004-0.008μm;
Ry:0.02-0.08μm;
平整度:0.005mm;
尺寸規(guī)格:5英寸及以下規(guī)格。
【技術(shù)水平】國內(nèi)領(lǐng)先
【可應用領(lǐng)域和范圍】電子行業(yè)
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)階段
【合作方式】合作開發(fā)、風險投資、產(chǎn)品銷售
【投入需求】500萬元
【轉(zhuǎn)化周期】1年
【預期效益】該技術(shù)的轉(zhuǎn)化成功將提高國內(nèi)電子行業(yè)陶瓷基片高端產(chǎn)品的制造水平,改善目前大尺寸高純精拋氧化鋁陶瓷基片以國外進口為主的局面。
【聯(lián)系方式】張洪波 010-51167571/13501322918