合作信息
功率快恢復(fù)二極管研制技術(shù)
發(fā)布單位：中國(guó)航天科技集團(tuán)公司九院北京微電子技術(shù)研究所
所屬行業(yè)：電子信息
合作信息類型：意向合作
機(jī)構(gòu)類型：企業(yè)
供求關(guān)系：供應(yīng)
合作信息期限：2016-5
參考價(jià)格：面議
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合作信息簡(jiǎn)介
【技術(shù)開(kāi)發(fā)單位】中國(guó)航天科技集團(tuán)公司九院北京微電子技術(shù)研究所
【技術(shù)簡(jiǎn)介】針對(duì)快恢復(fù)二極管高可靠應(yīng)用要求，航天七七二所從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝上進(jìn)行了創(chuàng)新開(kāi)發(fā)，針對(duì)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝工藝等技術(shù)進(jìn)行了一系列技術(shù)研究，可提高產(chǎn)品的整體性能。目前相關(guān)技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)并應(yīng)用在其它高可靠快恢復(fù)二極管產(chǎn)品中。
適應(yīng)冶金焊接的芯片臺(tái)面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：保證器件滿足擊穿電壓指標(biāo)要求，同時(shí)有利于減小各種寄生效應(yīng)，提高器件可靠性
高濃度多層復(fù)合外延：降低器件正向壓降，避免大劑量離子注入以及長(zhǎng)時(shí)間的高溫?cái)U(kuò)散工藝，簡(jiǎn)化工藝步驟、縮短工藝加工周期
平滑臺(tái)面高可靠多層復(fù)合介質(zhì)膜鈍化保護(hù)：提高擊穿電壓，降低反向漏電流
穩(wěn)定的鉑擴(kuò)散載流子壽命控制：使器件的鉑雜質(zhì)分布達(dá)到最優(yōu)，實(shí)現(xiàn)器件快恢復(fù)
多層金屬化電極系統(tǒng)和背面金屬化：抗惡劣使用環(huán)境，提高可靠性
多級(jí)場(chǎng)限環(huán)和場(chǎng)板復(fù)合平面結(jié)終端：實(shí)現(xiàn)器件高耐壓，保證器件具有較小的漏電流
真空高溫芯片冶金焊接：降低芯片應(yīng)力，減小器件的正向壓降，提高抗熱疲勞性
玻璃金屬密封工藝技術(shù)：形成對(duì)芯片良好的保護(hù)層
【技術(shù)特點(diǎn)】經(jīng)過(guò)多年研發(fā)，我單位形成了兩套標(biāo)準(zhǔn)的快恢復(fù)二極管制造技術(shù)：一套是平面工藝、高壓、大電流、外延超快恢復(fù)二極管制造技術(shù)，一套是新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)、超低正向、極快恢復(fù)二極管的制造技術(shù)。下面就兩套工藝的主要工藝技術(shù)特點(diǎn)分別介紹：
平面工藝、高壓、外延型超快恢復(fù)二極管制造技術(shù)：
帶緩沖層外延材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低正向壓降，實(shí)現(xiàn)軟恢復(fù)特性；
先進(jìn)的場(chǎng)限環(huán)和場(chǎng)板復(fù)合平面結(jié)終端技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高耐壓要求；
先進(jìn)的微電子平面制造工藝技術(shù)，保證結(jié)面均勻一致，減小漏電流；
淺結(jié)、低陽(yáng)極摻雜濃度設(shè)計(jì)技術(shù)，保證良好的熱穩(wěn)定性；
獨(dú)特的擴(kuò)鉑壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超快恢復(fù)特性。
新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)、超低正向、極快恢復(fù)二極管的制造技術(shù)：
采用多層復(fù)合外延材料，實(shí)現(xiàn)超低正向壓降和軟恢復(fù)特性；
新型平滑臺(tái)面制造技術(shù)，滿足高反壓、低漏電要求；
獨(dú)特的鉑擴(kuò)散壽命控制技術(shù)，保證極快的恢復(fù)時(shí)間和較低的正向壓降；
先進(jìn)的鈍化保護(hù)技術(shù)，減小反向漏電流，提高器件可靠性；
三次光刻、不需要離子注入和擴(kuò)散，大大縮短工藝周期，降低生產(chǎn)成本。
玻璃金屬表貼封裝技術(shù)：
為了滿足總體系統(tǒng)小型化、輕型化的要求，在快恢復(fù)二極管封裝方面，航天七七二所具備國(guó)際宇航領(lǐng)域廣泛使用的玻璃表面貼裝封裝技術(shù)。芯片焊接是通過(guò)對(duì)工件施加熱或施加壓的方法，使工件達(dá)到原子間的結(jié)合而形成永久性的連接過(guò)程而被宇航級(jí)器件所采用；玻璃與金屬封接是通過(guò)玻璃液與金屬氧化層互相浸潤(rùn)，形成混合穩(wěn)固的化學(xué)鍵，具有足夠的抗拉和抗扭強(qiáng)度，可以更有效的對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)。表貼封裝器件相對(duì)目前國(guó)內(nèi)廣泛使用的同軸封裝器件，具有更小的體積和重量，也是目前各宇航型號(hào)所要求的。此項(xiàng)技術(shù)屬于國(guó)內(nèi)首次采用，所以具有極高的技術(shù)創(chuàng)新性。
【技術(shù)指標(biāo)】代表產(chǎn)品主要技術(shù)指標(biāo)：
（1）低壓、小電流快恢復(fù)二極管產(chǎn)品：
VBR(V)：≥160@IR=100uA
Io(A)： 6A@RT
VF(mV)：≤875@IF=4A
VF(mV)：≤925@IF=6A
IR(uA)：≤5@ VBR =150V
trr(ns)：≤30@IF=1A
封裝型式：玻封表貼
儲(chǔ)存溫度：-65℃～+175℃
最高結(jié)溫：175℃
（2）高壓平面快恢復(fù)二極管產(chǎn)品：
VBR(V)：≥1200@IR=100uA
Io(A)：30A@RT
VF(V)：≤1.6@IF=30A
IR(uA)：≤10@ VBR =1200V
trr(ns)：≤45@IF=1A
封裝型式：金屬封裝
儲(chǔ)存溫度：-40℃～+125℃
【技術(shù)水平】國(guó)際先進(jìn)
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】電動(dòng)汽車，高速列車，開(kāi)關(guān)電源，不間斷電源（UPS），風(fēng)機(jī)及水泵調(diào)整系統(tǒng)，交、直流電力交通系統(tǒng)，電解爐、高頻加熱裝置，逆變焊機(jī)等。
【專利狀態(tài)】已取得專利1項(xiàng)，已申請(qǐng)專利1項(xiàng)。
【技術(shù)狀態(tài)】批量生產(chǎn)階段
【合作方式】技術(shù)轉(zhuǎn)讓、產(chǎn)品銷售
【投入需求】2000萬(wàn)
【轉(zhuǎn)化周期】6個(gè)月
【預(yù)期效益】快恢復(fù)二極管擁有較好的經(jīng)濟(jì)效益。以1200V/15A外延快恢復(fù)二極管芯片為例，采用非外延（FZ）單晶，4英寸硅單晶原材料成本大約為100元，圓片加工費(fèi)以7層計(jì)算，每層加工成本按100元計(jì)算，這樣合計(jì)圓片加工費(fèi)用為800元，再加上測(cè)試及人力成本，每圓片成本大約為900元，以每圓片成品600只計(jì)算，則每只芯片的成本大約900/600=1.5元，相比市場(chǎng)上進(jìn)口芯片2.5元左右的單價(jià)，有相當(dāng)大的利潤(rùn)空間。
通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，開(kāi)展軍用快恢復(fù)二極管技術(shù)向民用應(yīng)用領(lǐng)域的推廣和轉(zhuǎn)移，可有效促進(jìn)軍用技術(shù)和民用技術(shù)有效共享和互動(dòng)轉(zhuǎn)移。該項(xiàng)目的實(shí)施，是對(duì)國(guó)家電子行業(yè)內(nèi)國(guó)產(chǎn)化工作的大力推動(dòng)，可防止國(guó)外對(duì)先進(jìn)產(chǎn)品進(jìn)行封鎖禁運(yùn)造成的國(guó)家重點(diǎn)工程后延，可解決國(guó)家電子行業(yè)內(nèi)進(jìn)口高額費(fèi)用。由此看出具有非常重大的社會(huì)效益。
【聯(lián)系方式】郭 威 010-67968115-7130/15811385445
【技術(shù)簡(jiǎn)介】針對(duì)快恢復(fù)二極管高可靠應(yīng)用要求，航天七七二所從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝上進(jìn)行了創(chuàng)新開(kāi)發(fā)，針對(duì)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝工藝等技術(shù)進(jìn)行了一系列技術(shù)研究，可提高產(chǎn)品的整體性能。目前相關(guān)技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)并應(yīng)用在其它高可靠快恢復(fù)二極管產(chǎn)品中。
適應(yīng)冶金焊接的芯片臺(tái)面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：保證器件滿足擊穿電壓指標(biāo)要求，同時(shí)有利于減小各種寄生效應(yīng)，提高器件可靠性
高濃度多層復(fù)合外延：降低器件正向壓降，避免大劑量離子注入以及長(zhǎng)時(shí)間的高溫?cái)U(kuò)散工藝，簡(jiǎn)化工藝步驟、縮短工藝加工周期
平滑臺(tái)面高可靠多層復(fù)合介質(zhì)膜鈍化保護(hù)：提高擊穿電壓，降低反向漏電流
穩(wěn)定的鉑擴(kuò)散載流子壽命控制：使器件的鉑雜質(zhì)分布達(dá)到最優(yōu)，實(shí)現(xiàn)器件快恢復(fù)
多層金屬化電極系統(tǒng)和背面金屬化：抗惡劣使用環(huán)境，提高可靠性
多級(jí)場(chǎng)限環(huán)和場(chǎng)板復(fù)合平面結(jié)終端：實(shí)現(xiàn)器件高耐壓，保證器件具有較小的漏電流
真空高溫芯片冶金焊接：降低芯片應(yīng)力，減小器件的正向壓降，提高抗熱疲勞性
玻璃金屬密封工藝技術(shù)：形成對(duì)芯片良好的保護(hù)層
【技術(shù)特點(diǎn)】經(jīng)過(guò)多年研發(fā)，我單位形成了兩套標(biāo)準(zhǔn)的快恢復(fù)二極管制造技術(shù)：一套是平面工藝、高壓、大電流、外延超快恢復(fù)二極管制造技術(shù)，一套是新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)、超低正向、極快恢復(fù)二極管的制造技術(shù)。下面就兩套工藝的主要工藝技術(shù)特點(diǎn)分別介紹：
平面工藝、高壓、外延型超快恢復(fù)二極管制造技術(shù)：
帶緩沖層外延材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低正向壓降，實(shí)現(xiàn)軟恢復(fù)特性；
先進(jìn)的場(chǎng)限環(huán)和場(chǎng)板復(fù)合平面結(jié)終端技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高耐壓要求；
先進(jìn)的微電子平面制造工藝技術(shù)，保證結(jié)面均勻一致，減小漏電流；
淺結(jié)、低陽(yáng)極摻雜濃度設(shè)計(jì)技術(shù)，保證良好的熱穩(wěn)定性；
獨(dú)特的擴(kuò)鉑壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超快恢復(fù)特性。
新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)、超低正向、極快恢復(fù)二極管的制造技術(shù)：
采用多層復(fù)合外延材料，實(shí)現(xiàn)超低正向壓降和軟恢復(fù)特性；
新型平滑臺(tái)面制造技術(shù)，滿足高反壓、低漏電要求；
獨(dú)特的鉑擴(kuò)散壽命控制技術(shù)，保證極快的恢復(fù)時(shí)間和較低的正向壓降；
先進(jìn)的鈍化保護(hù)技術(shù)，減小反向漏電流，提高器件可靠性；
三次光刻、不需要離子注入和擴(kuò)散，大大縮短工藝周期，降低生產(chǎn)成本。
玻璃金屬表貼封裝技術(shù)：
為了滿足總體系統(tǒng)小型化、輕型化的要求，在快恢復(fù)二極管封裝方面，航天七七二所具備國(guó)際宇航領(lǐng)域廣泛使用的玻璃表面貼裝封裝技術(shù)。芯片焊接是通過(guò)對(duì)工件施加熱或施加壓的方法，使工件達(dá)到原子間的結(jié)合而形成永久性的連接過(guò)程而被宇航級(jí)器件所采用；玻璃與金屬封接是通過(guò)玻璃液與金屬氧化層互相浸潤(rùn)，形成混合穩(wěn)固的化學(xué)鍵，具有足夠的抗拉和抗扭強(qiáng)度，可以更有效的對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)。表貼封裝器件相對(duì)目前國(guó)內(nèi)廣泛使用的同軸封裝器件，具有更小的體積和重量，也是目前各宇航型號(hào)所要求的。此項(xiàng)技術(shù)屬于國(guó)內(nèi)首次采用，所以具有極高的技術(shù)創(chuàng)新性。
【技術(shù)指標(biāo)】代表產(chǎn)品主要技術(shù)指標(biāo)：
（1）低壓、小電流快恢復(fù)二極管產(chǎn)品：
VBR(V)：≥160@IR=100uA
Io(A)： 6A@RT
VF(mV)：≤875@IF=4A
VF(mV)：≤925@IF=6A
IR(uA)：≤5@ VBR =150V
trr(ns)：≤30@IF=1A
封裝型式：玻封表貼
儲(chǔ)存溫度：-65℃～+175℃
最高結(jié)溫：175℃
（2）高壓平面快恢復(fù)二極管產(chǎn)品：
VBR(V)：≥1200@IR=100uA
Io(A)：30A@RT
VF(V)：≤1.6@IF=30A
IR(uA)：≤10@ VBR =1200V
trr(ns)：≤45@IF=1A
封裝型式：金屬封裝
儲(chǔ)存溫度：-40℃～+125℃
【技術(shù)水平】國(guó)際先進(jìn)
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】電動(dòng)汽車，高速列車，開(kāi)關(guān)電源，不間斷電源（UPS），風(fēng)機(jī)及水泵調(diào)整系統(tǒng)，交、直流電力交通系統(tǒng)，電解爐、高頻加熱裝置，逆變焊機(jī)等。
【專利狀態(tài)】已取得專利1項(xiàng)，已申請(qǐng)專利1項(xiàng)。
【技術(shù)狀態(tài)】批量生產(chǎn)階段
【合作方式】技術(shù)轉(zhuǎn)讓、產(chǎn)品銷售
【投入需求】2000萬(wàn)
【轉(zhuǎn)化周期】6個(gè)月
【預(yù)期效益】快恢復(fù)二極管擁有較好的經(jīng)濟(jì)效益。以1200V/15A外延快恢復(fù)二極管芯片為例，采用非外延（FZ）單晶，4英寸硅單晶原材料成本大約為100元，圓片加工費(fèi)以7層計(jì)算，每層加工成本按100元計(jì)算，這樣合計(jì)圓片加工費(fèi)用為800元，再加上測(cè)試及人力成本，每圓片成本大約為900元，以每圓片成品600只計(jì)算，則每只芯片的成本大約900/600=1.5元，相比市場(chǎng)上進(jìn)口芯片2.5元左右的單價(jià)，有相當(dāng)大的利潤(rùn)空間。
通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，開(kāi)展軍用快恢復(fù)二極管技術(shù)向民用應(yīng)用領(lǐng)域的推廣和轉(zhuǎn)移，可有效促進(jìn)軍用技術(shù)和民用技術(shù)有效共享和互動(dòng)轉(zhuǎn)移。該項(xiàng)目的實(shí)施，是對(duì)國(guó)家電子行業(yè)內(nèi)國(guó)產(chǎn)化工作的大力推動(dòng)，可防止國(guó)外對(duì)先進(jìn)產(chǎn)品進(jìn)行封鎖禁運(yùn)造成的國(guó)家重點(diǎn)工程后延，可解決國(guó)家電子行業(yè)內(nèi)進(jìn)口高額費(fèi)用。由此看出具有非常重大的社會(huì)效益。
【聯(lián)系方式】郭 威 010-67968115-7130/15811385445
