【技術(shù)簡介】陶瓷覆銅基板利用銅的含氧共晶體直接將銅覆接在陶瓷上，其基本原理是覆接過程前或過程中在銅與陶瓷之間引入適量的氧元素，在1065 ℃～1083 ℃范圍內(nèi)（低于銅的熔點1083 ℃），銅與氧形成銅—氧共晶體，該共晶體一方面與陶瓷發(fā)生化學反應生成尖晶石的物質(zhì)，另外一方面浸潤銅箔和陶瓷實現(xiàn)了陶瓷與銅箔的結(jié)合。先對銅片進行退火處理，然后把銅片與瓷片相結(jié)合在一起，通過燒結(jié)得到大面積的基板，接著在一個大面積的基板上布置多個單元陣列，再通過蝕刻得到目標圖形，最后通過劃片得到一個小單元。
　　
　　【技術(shù)特點】
　?。?）可得到任意圖形，能滿足不同客戶的需求；
　?。?）可提高生產(chǎn)效率，達到產(chǎn)業(yè)化目的，能滿足日益增長的需求；
　?。?）后段工藝技術(shù)借鑒成熟的PCB生產(chǎn)工藝技術(shù)，技術(shù)成熟度高。
　　
　　【技術(shù)水平】通過“八五”、“九五”的技術(shù)研究，在1998年開始建設陶瓷覆銅板生產(chǎn)線，1999年開始向市場提供產(chǎn)品，經(jīng)過20多年建設，不斷拓展生產(chǎn)線，到目前已經(jīng)形成了年生產(chǎn)能力200萬cm2生產(chǎn)規(guī)模，具有中小批量生產(chǎn)技術(shù)和能力，并長期供貨于我所軍用器件及多家功率器件廠，達到商業(yè)化程度。
　?。?）氧化鋁DBC產(chǎn)品具體技術(shù)指標如下：
　　導熱率：≥20W/m·K
　　線間距： ≤1 mm
　　剝離強度：≥ 5 Kgf/cm
　　空洞率：≤5%
　?。?）氮化鋁DBC產(chǎn)品具體技術(shù)指標如下：
　　導熱率：≥170W/m·K
　　線間距： ≤1 mm
　　剝離強度：≥ 5Kgf/cm
　　空洞率：≤5%
　　
　　【可應用領(lǐng)域和范圍】DBC基板具有熱導率高、載流能力強，附著力強、易得到各種圖形，是功率器件的標準電路板，被廣泛應用于LED、太陽能電池組件、動力牽引（高鐵、動車、城鐵等）、電力電子、航天航空、半導體致冷器、電子加熱器等各種領(lǐng)域。
　　
　　【專利狀態(tài)】共獲得2項發(fā)明專利。
　　
　　【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)階段
　　
　　【合作方式】股權(quán)投資
　　
　　【投入需求】投資1000萬元，建立一條具有年產(chǎn)8120萬cm2能力的DBC生產(chǎn)線
　　
　　【預期效益】投資1000萬的規(guī)模，建立一條具有年產(chǎn)8120萬cm2能力的DBC生產(chǎn)線，預計達產(chǎn)后銷售收入可達到1.5億，利潤達到3000萬以上。
　　DBC基板技術(shù)軍轉(zhuǎn)民的實現(xiàn)，將推進我國IGBT器件的產(chǎn)業(yè)快速健康持續(xù)發(fā)展，打破國外對高導熱率的氮化鋁DBC基板的技術(shù)壟斷，有力推進我國智能電網(wǎng)、新能源發(fā)展、高鐵等行業(yè)的發(fā)展，為建設資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會奠定堅實基礎(chǔ)。

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