【技術(shù)簡介】該單位以VGF法鍺單晶生長技術(shù)制備超薄鍺片，已經(jīng)解決了4英寸超薄鍺單晶片的切割、研磨、拋光、清洗、測試和封裝等關(guān)鍵技術(shù)，建成了4英寸超薄鍺單晶拋光片研制生產(chǎn)線。由于聚光后產(chǎn)生的高溫使光電轉(zhuǎn)換效率降低，因此具有較好耐熱性的以鍺為襯底的Ⅲ-Ⅴ族化合物電池，成為了高倍率CPV系統(tǒng)電池的必然選擇，也是低成本規(guī)模建造太陽能電站的有效途。

　　【技術(shù)特點(diǎn)】
　　（1）在單晶生長方面主要有以下優(yōu)點(diǎn)。生長過程中溫度梯度低，有利于降低晶體內(nèi)的應(yīng)力，降低位錯(cuò)密度；生長環(huán)境封閉，生長系統(tǒng)相對(duì)較小，設(shè)備控制易于實(shí)現(xiàn)；生長過程為坩堝內(nèi)熔體的固化過程，生成的晶錠與坩堝形狀相同，不需復(fù)雜的等徑控制技術(shù)；加熱器為常用的電阻絲加熱方式，設(shè)備成本低。位錯(cuò)密度控制在1000個(gè)/cm2以下。
　?。?）在超薄鍺片加工方面主要有以下優(yōu)點(diǎn)。自主開發(fā)的鍺單晶多線切割工藝，具有材料損耗小，切割片幾何參數(shù)高的特點(diǎn)；背面磨削及弱性腐蝕技術(shù)既提高了鍺片的機(jī)械強(qiáng)度又保持了磨削面的表面狀態(tài)，同時(shí)也能夠達(dá)到消除磨削引入的內(nèi)部應(yīng)力、控制腐蝕片表面的粗糙度和清潔鍺片磨削面的目的；鍺片三步拋光工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了拋光過程中化學(xué)作用和機(jī)械作用相平衡的效果，使拋光后超薄鍺片達(dá)到較好的幾何參數(shù)精度和表面粗糙度；獨(dú)特的清洗及封裝工藝在達(dá)到“開盒即用”的前提下，提高了鍺拋光片的保質(zhì)期。

　　【技術(shù)水平】主要技術(shù)指標(biāo)如下：
　?。?）生長方法：VGF法；
　?。?）鍺片直徑：100±0.3mm；
　?。?）導(dǎo)電類型：N型/P型；
　?。?）晶向：<100>偏<111> 9°±1；
　?。?）電阻率：0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；
　?。?）電阻率不均勻性≤15；
　?。?）位錯(cuò)密度：P型≤1000個(gè)/cm2， N型≤3000個(gè)/cm2；
　　（8）晶片厚度：175±15μm；
　?。?）TTV：≤12μm；
　?。?0）Bow：≤15μm；
　?。?1）機(jī)械強(qiáng)度：≥ 3lbf。

　　【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】空間用多結(jié)化合物太陽能電池、地面聚光太陽能系統(tǒng)。

　　【專利狀態(tài)】已獲得專利4項(xiàng)

　　【技術(shù)狀態(tài)】批量生產(chǎn)階段

　　【合作方式】風(fēng)險(xiǎn)投資

　　【投入需求】使用該技術(shù)需具備相應(yīng)的設(shè)備和場地，主要設(shè)備包括：多線切割機(jī)、全自動(dòng)倒角機(jī)、化學(xué)腐蝕機(jī)、拋光機(jī)、清洗機(jī)等。普通廠房：面積1500平方米，七級(jí)凈化間：面積300平方米，四級(jí)凈化間：面積150平方米，相應(yīng)的配套調(diào)價(jià)。

　　【預(yù)期效益】據(jù)預(yù)計(jì),2011年至2015年國外聚光太陽能電池裝機(jī)容量將達(dá)6千兆瓦～8千兆瓦,到2020年全球聚光太陽能電池裝機(jī)容量將達(dá)80千兆瓦～90千兆瓦,所以鍺襯底片的需求量將達(dá)到8000萬片。另外，空間應(yīng)用也給鍺襯底片提供了巨大的市場，中國將研制100顆以上空間飛行器，為鍺襯底片帶來了極大的市場機(jī)會(huì)。以年產(chǎn)10萬片、單價(jià)600元計(jì)算，每年將帶來6000萬的產(chǎn)值。

　　【聯(lián)系方式】楊東海   022-83870199   15222689966