合作信息
高端激光器芯片及封裝應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化
發(fā)布單位:中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
所屬行業(yè):電子信息
合作信息類型:技術(shù)協(xié)作
機(jī)構(gòu)類型:科研院所
供求關(guān)系:供應(yīng)
合作信息期限:2016-3
參考價格:面議
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合作信息簡介
【技術(shù)簡介】量子阱半導(dǎo)體激光器具備電光轉(zhuǎn)換效率高、光譜純度好、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),在激光高能武器、激光制導(dǎo)、激光測距、紅外對抗等軍事領(lǐng)域以及激光切割、激光涂覆、激光印刷、激光醫(yī)療、光通訊、紅外安防等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。
中國電科十三所早在上世紀(jì)80年代就開發(fā)了第一支室溫工作紅外半導(dǎo)體激光器。目前已形成包括材料生長、芯片制作、載體加工、封裝測試等完整的半導(dǎo)體激光器設(shè)計制作技術(shù)平臺,擁有多項科技成果及專利。主要技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平,部分技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
材料技術(shù):采用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積)外延工藝及MBE(分子束外延)外延工藝生長高質(zhì)量的3英寸GaAs基、InP基量子阱激光器材料。其中應(yīng)變量子阱大光腔激光器材料、隧道級聯(lián)量子阱激光器材料、窄發(fā)散角光通訊量子阱激光器材料技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
芯片技術(shù):擁有一條3英寸光電芯片工藝線,具備大功率多模芯片、大功率單模芯片、通訊用單模芯片的設(shè)計加工技術(shù)。大功率激光器芯片腔面鈍化鍍膜技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。
載體封裝技術(shù):大功率激光器封裝工藝(含載體制作)以及光通訊器件及組件封裝工藝,包括載體制作、焊料制作、高精度組裝等技術(shù)。
【技術(shù)特點(diǎn)】十三所激光器技術(shù)為全自主技術(shù),外延片、芯片、載體可以根據(jù)用戶需求專門設(shè)計制作,可以實現(xiàn)激光器波長、光束質(zhì)量、外部接口更適合用戶需求。典型產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)全面達(dá)到進(jìn)口產(chǎn)品水平,可以實現(xiàn)快速替代;自主設(shè)計制作,不受進(jìn)口限制,生產(chǎn)周期短,性價比高。
具體技術(shù)特點(diǎn)包括:
3英寸外延及圓片工藝,兼顧均勻性及量產(chǎn)成本控制,激光器片內(nèi)波長均勻性可控制在±1nm以內(nèi),芯片成品率大于90% 。
成熟的材料外延技術(shù):MOCVD外延工藝、MBE外延工藝配合使用,可以實現(xiàn)腐蝕停止層外延、擴(kuò)展波導(dǎo)外延、級聯(lián)隧道結(jié)外延、二次外延等,滿足InP基、GaAs基各種激光器材料高質(zhì)量外延。
高效率、高可靠的芯片技術(shù):基于外延材料、封裝結(jié)構(gòu)的綜合芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù),使得激光器在工作點(diǎn)具備最佳的電光轉(zhuǎn)換效率。特有的腔面結(jié)構(gòu)設(shè)計輔助專有的腔面鈍化鍍膜技術(shù),可以實現(xiàn)各種芯片高抗燒毀特性。
全面的封裝技術(shù):具備高精度低熱阻載體熱沉制作技術(shù)、各種軟硬焊料制作技術(shù)、低應(yīng)力封裝工藝、高精度組裝技術(shù),設(shè)計積累了大量具有專利保護(hù)的專用工裝夾具,能夠?qū)崿F(xiàn)各種高端器件的封裝。
【技術(shù)指標(biāo)】針對民用方面,可提供以下技術(shù)指標(biāo)、產(chǎn)品與生產(chǎn)研發(fā)技術(shù):
?。?)大功率激光器
波長:780nm~1060nm
工作模式:連續(xù)、準(zhǔn)連續(xù)、脈沖
功率:50mW~500mW(單模)
200mW~8W(連續(xù)單管)
15W~300W(脈沖單管)
20W~48000W(陣列模塊)
電光轉(zhuǎn)換效率:≥50%(780nm~900nm)
≥60%(900nm~1060nm)
光輸出方式:直接輸出/整形輸出/光纖輸出
工作壽命:≥20000小時(連續(xù)單管)
≥5000小時(連續(xù)陣列)
≥1E10脈沖(脈沖器件)
工作環(huán)境溫度:-40℃~+70℃
(2)通訊用激光器
波長: 1310nm~1550nm
功率:6mW、8mW、10mW
電光轉(zhuǎn)換效率:≥30%
速率:155Mbps、1.25Gbps、2.5Gbps、10Gbps
工作壽命:≥200000小時
工作環(huán)境溫度:-40℃~+85℃
【技術(shù)水平】國內(nèi)領(lǐng)先
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】
激光加工:激光打標(biāo)、激光焊接、激光涂覆、激光印刷等。
光通訊行業(yè):光發(fā)射器件、光收發(fā)模塊等。
激光醫(yī)療、紅外照明、激光測距等。
【專利狀態(tài)】已取得專利11項
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)、工程應(yīng)用階段
【合作方式】融資需求
【投入需求】5100萬元
【轉(zhuǎn)化周期】2年
【預(yù)期效益】芯片及器件是光電技術(shù)鏈的高端,產(chǎn)業(yè)鏈的核心,成功的技術(shù)轉(zhuǎn)化將顯著改善我國在有源芯片及器件方面的落后情況,打破主要依賴進(jìn)口的不利局面,對提高我國光電子芯片及器件的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力具有重要意義。
光通訊市場以及激光加工、激光醫(yī)療等市場總額數(shù)十億元,且呈不斷增長趨勢。國產(chǎn)芯片及器件產(chǎn)業(yè)化的成功,以其顯而易見的價格優(yōu)勢及保障優(yōu)勢,短期內(nèi)有望實現(xiàn)10億元以上的市場份額。
【聯(lián)系方式】李少鵬0311-87091278/15131151979
中國電科十三所早在上世紀(jì)80年代就開發(fā)了第一支室溫工作紅外半導(dǎo)體激光器。目前已形成包括材料生長、芯片制作、載體加工、封裝測試等完整的半導(dǎo)體激光器設(shè)計制作技術(shù)平臺,擁有多項科技成果及專利。主要技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平,部分技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
材料技術(shù):采用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積)外延工藝及MBE(分子束外延)外延工藝生長高質(zhì)量的3英寸GaAs基、InP基量子阱激光器材料。其中應(yīng)變量子阱大光腔激光器材料、隧道級聯(lián)量子阱激光器材料、窄發(fā)散角光通訊量子阱激光器材料技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
芯片技術(shù):擁有一條3英寸光電芯片工藝線,具備大功率多模芯片、大功率單模芯片、通訊用單模芯片的設(shè)計加工技術(shù)。大功率激光器芯片腔面鈍化鍍膜技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。
載體封裝技術(shù):大功率激光器封裝工藝(含載體制作)以及光通訊器件及組件封裝工藝,包括載體制作、焊料制作、高精度組裝等技術(shù)。
【技術(shù)特點(diǎn)】十三所激光器技術(shù)為全自主技術(shù),外延片、芯片、載體可以根據(jù)用戶需求專門設(shè)計制作,可以實現(xiàn)激光器波長、光束質(zhì)量、外部接口更適合用戶需求。典型產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)全面達(dá)到進(jìn)口產(chǎn)品水平,可以實現(xiàn)快速替代;自主設(shè)計制作,不受進(jìn)口限制,生產(chǎn)周期短,性價比高。
具體技術(shù)特點(diǎn)包括:
3英寸外延及圓片工藝,兼顧均勻性及量產(chǎn)成本控制,激光器片內(nèi)波長均勻性可控制在±1nm以內(nèi),芯片成品率大于90% 。
成熟的材料外延技術(shù):MOCVD外延工藝、MBE外延工藝配合使用,可以實現(xiàn)腐蝕停止層外延、擴(kuò)展波導(dǎo)外延、級聯(lián)隧道結(jié)外延、二次外延等,滿足InP基、GaAs基各種激光器材料高質(zhì)量外延。
高效率、高可靠的芯片技術(shù):基于外延材料、封裝結(jié)構(gòu)的綜合芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù),使得激光器在工作點(diǎn)具備最佳的電光轉(zhuǎn)換效率。特有的腔面結(jié)構(gòu)設(shè)計輔助專有的腔面鈍化鍍膜技術(shù),可以實現(xiàn)各種芯片高抗燒毀特性。
全面的封裝技術(shù):具備高精度低熱阻載體熱沉制作技術(shù)、各種軟硬焊料制作技術(shù)、低應(yīng)力封裝工藝、高精度組裝技術(shù),設(shè)計積累了大量具有專利保護(hù)的專用工裝夾具,能夠?qū)崿F(xiàn)各種高端器件的封裝。
【技術(shù)指標(biāo)】針對民用方面,可提供以下技術(shù)指標(biāo)、產(chǎn)品與生產(chǎn)研發(fā)技術(shù):
?。?)大功率激光器
波長:780nm~1060nm
工作模式:連續(xù)、準(zhǔn)連續(xù)、脈沖
功率:50mW~500mW(單模)
200mW~8W(連續(xù)單管)
15W~300W(脈沖單管)
20W~48000W(陣列模塊)
電光轉(zhuǎn)換效率:≥50%(780nm~900nm)
≥60%(900nm~1060nm)
光輸出方式:直接輸出/整形輸出/光纖輸出
工作壽命:≥20000小時(連續(xù)單管)
≥5000小時(連續(xù)陣列)
≥1E10脈沖(脈沖器件)
工作環(huán)境溫度:-40℃~+70℃
(2)通訊用激光器
波長: 1310nm~1550nm
功率:6mW、8mW、10mW
電光轉(zhuǎn)換效率:≥30%
速率:155Mbps、1.25Gbps、2.5Gbps、10Gbps
工作壽命:≥200000小時
工作環(huán)境溫度:-40℃~+85℃
【技術(shù)水平】國內(nèi)領(lǐng)先
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】
激光加工:激光打標(biāo)、激光焊接、激光涂覆、激光印刷等。
光通訊行業(yè):光發(fā)射器件、光收發(fā)模塊等。
激光醫(yī)療、紅外照明、激光測距等。
【專利狀態(tài)】已取得專利11項
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)、工程應(yīng)用階段
【合作方式】融資需求
【投入需求】5100萬元
【轉(zhuǎn)化周期】2年
【預(yù)期效益】芯片及器件是光電技術(shù)鏈的高端,產(chǎn)業(yè)鏈的核心,成功的技術(shù)轉(zhuǎn)化將顯著改善我國在有源芯片及器件方面的落后情況,打破主要依賴進(jìn)口的不利局面,對提高我國光電子芯片及器件的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力具有重要意義。
光通訊市場以及激光加工、激光醫(yī)療等市場總額數(shù)十億元,且呈不斷增長趨勢。國產(chǎn)芯片及器件產(chǎn)業(yè)化的成功,以其顯而易見的價格優(yōu)勢及保障優(yōu)勢,短期內(nèi)有望實現(xiàn)10億元以上的市場份額。
【聯(lián)系方式】李少鵬0311-87091278/15131151979