合作信息
全自動激光晶體生長爐
發(fā)布單位:中國電子科技集團公司第二十六研究所
所屬行業(yè):新材料
合作信息類型:意向合作
機構類型:科研院所
供求關系:供應
合作信息期限:2016-1
參考價格:面議
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合作信息簡介
【技術簡介】為滿足國防軍工應用,我所組織團隊進行高溫YAG,、LYSO、窗口材料等高溫晶體生長設備的研發(fā),針對目前現有設備情況,集中力量解決設備智能化水平、高溫負壓控制技術、超低晶升技術、稱重數據處理等技術難題,以晶體實時生長速度為控制參量,解決在控制過程中出現的滯后、非線性控制問題、實現在高壓、真空、負壓、高溫、流動性氣氛等多種工藝下的感應法、電阻法全自動高溫晶體生長工藝。可以滿足絕大多數晶體全自動生長需求。
【技術特點】系統(tǒng)采用智能化運行,節(jié)省大量人力物力,提高生產效率;具備自診斷功能,針對各類型情況自動判斷處理,安全防護性大大提高;產品工藝重復一致性提高。獨有的數據比對功能,便于數據分析和工藝的提升;獨有的數據采集和處理系統(tǒng),提高系統(tǒng)控制的準確性,更利于溫度場的穩(wěn)定;特有的晶體建模軟件,有利于各類型形狀晶體的穩(wěn)定控制和生長;超低拉速穩(wěn)定控制,有利于特種晶體的極低拉速穩(wěn)定生長;設備整體水平達到國際先進水平。
【技術指標】
提拉有效行程: 550mm
提拉速度范圍: 0.1~100mm/min
旋轉速度范圍: 1~40r/min
手控升降速度: 1~100mm/min
稱重量程: 12kg,20kg30kg可選
中頻功率: 40kw,60kw,80kw可選
充氣壓力: 0~0.05MPa
爐膛尺寸:Φ600mm,Φ800mm,Φ1000mm,Φ1200mm可選
控制方式: 自動、手動線控
最低提拉速度:≤0.1mm/h
提拉系統(tǒng)突跳: 0.001mm(1mm/h)
稱重最小分度值: 10mg
中頻功率控制精度: 1‰
真空度:優(yōu)于進入10-3Pa靜態(tài)測試
【技術水平】國際先進
【可應用領域和范圍】激光單晶爐主要用于生長各類型人工晶體材料,通過晶體材料的開發(fā)可廣泛應用于節(jié)能照明、集成電路開發(fā)、軍事技術、醫(yī)療檢測、安防、核醫(yī)學、高能物理、空間探測、暗物質探測、紅外光學、半導體微電子工藝等諸多方向。
【專利狀態(tài)】已取得專利3項
【技術狀態(tài)】小批量生產、工程應用階段
【合作方式】融資需求
【投入需求】1000萬元
【轉化周期】2年
【預期效益】項目實施將打破國外技術封鎖、解決產業(yè)鏈中的裝備技術
關鍵、瓶頸問題;目前,進口的晶體材料生長裝備的單價在三百五十萬元以上,采用同類型我所自產設備,單臺可降低成本200萬,以批產50臺計算,可直接節(jié)約投資1億。隨著國內各行業(yè)對高品質人工晶體材料需求量的驟增,對各類型晶體材料的研究愈加重視,目前國產手動或半自動設備不能滿足現有要求,陸續(xù)會更新為全自動設備,預計未來單晶爐設備的需求量在1000臺以上,將帶動后端晶體材料市場的繁榮發(fā)展,預期直接間接效益超過千億。
【聯系方式】楊 柳023-62916218/15909360423
【技術特點】系統(tǒng)采用智能化運行,節(jié)省大量人力物力,提高生產效率;具備自診斷功能,針對各類型情況自動判斷處理,安全防護性大大提高;產品工藝重復一致性提高。獨有的數據比對功能,便于數據分析和工藝的提升;獨有的數據采集和處理系統(tǒng),提高系統(tǒng)控制的準確性,更利于溫度場的穩(wěn)定;特有的晶體建模軟件,有利于各類型形狀晶體的穩(wěn)定控制和生長;超低拉速穩(wěn)定控制,有利于特種晶體的極低拉速穩(wěn)定生長;設備整體水平達到國際先進水平。
【技術指標】
提拉有效行程: 550mm
提拉速度范圍: 0.1~100mm/min
旋轉速度范圍: 1~40r/min
手控升降速度: 1~100mm/min
稱重量程: 12kg,20kg30kg可選
中頻功率: 40kw,60kw,80kw可選
充氣壓力: 0~0.05MPa
爐膛尺寸:Φ600mm,Φ800mm,Φ1000mm,Φ1200mm可選
控制方式: 自動、手動線控
最低提拉速度:≤0.1mm/h
提拉系統(tǒng)突跳: 0.001mm(1mm/h)
稱重最小分度值: 10mg
中頻功率控制精度: 1‰
真空度:優(yōu)于進入10-3Pa靜態(tài)測試
【技術水平】國際先進
【可應用領域和范圍】激光單晶爐主要用于生長各類型人工晶體材料,通過晶體材料的開發(fā)可廣泛應用于節(jié)能照明、集成電路開發(fā)、軍事技術、醫(yī)療檢測、安防、核醫(yī)學、高能物理、空間探測、暗物質探測、紅外光學、半導體微電子工藝等諸多方向。
【專利狀態(tài)】已取得專利3項
【技術狀態(tài)】小批量生產、工程應用階段
【合作方式】融資需求
【投入需求】1000萬元
【轉化周期】2年
【預期效益】項目實施將打破國外技術封鎖、解決產業(yè)鏈中的裝備技術
關鍵、瓶頸問題;目前,進口的晶體材料生長裝備的單價在三百五十萬元以上,采用同類型我所自產設備,單臺可降低成本200萬,以批產50臺計算,可直接節(jié)約投資1億。隨著國內各行業(yè)對高品質人工晶體材料需求量的驟增,對各類型晶體材料的研究愈加重視,目前國產手動或半自動設備不能滿足現有要求,陸續(xù)會更新為全自動設備,預計未來單晶爐設備的需求量在1000臺以上,將帶動后端晶體材料市場的繁榮發(fā)展,預期直接間接效益超過千億。
【聯系方式】楊 柳023-62916218/15909360423