目前國(guó)內(nèi)用于微電子封裝的基板材料、介質(zhì)材料和金屬材料還遠(yuǎn)落后于國(guó)外產(chǎn)品。封裝材料的落后嚴(yán)重制約國(guó)內(nèi)封裝技術(shù)的進(jìn)步和微電子產(chǎn)品性能的提高。例如，占半導(dǎo)體器件封裝總量 95%的環(huán)氧模塑料（CMC），高性能的產(chǎn)品大多數(shù)還是來自于國(guó)外公司或合資公司，國(guó)內(nèi)產(chǎn)品只能占據(jù)低端市場(chǎng)，產(chǎn)品附加值很低。低溫共燒多層陶瓷基板（LTCC）、高導(dǎo)熱陶瓷基板（AlN、Si3N4）國(guó)內(nèi)尚沒有成熟產(chǎn)品。      技術(shù)特點(diǎn)：本項(xiàng)目利用聚合物基高導(dǎo)熱復(fù)合材料基板與封裝材料的研究基礎(chǔ)，促進(jìn)高導(dǎo)熱和高密度微電子封裝與基板材料的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。      應(yīng)用領(lǐng)域及前景：該項(xiàng)目得到支持，已經(jīng)完成了相關(guān)基礎(chǔ)研究，制備出具有良好導(dǎo)熱性能和介電性能的復(fù)合材料基板。該產(chǎn)品可應(yīng)用在信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，高密度和大功率微電子封裝領(lǐng)域。