技術(shù)參數(shù)
1、存儲容量：8TB；<br>
2、存儲模塊多接口PCIe3.0*4、USB3.0、Sata3.0；<br>
3、順序?qū)懭胨俣?.5GB/s；<br>
4、順序讀取速度3GB/s；<br>
5、IOPS性能≥40K；<br>
6、物理銷毀時間<2s且不可恢復(fù)。
功能描述
高速大容量固態(tài)存儲控制技術(shù)利用高性能SoC實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的高速存儲，主要包括：先進接口協(xié)議轉(zhuǎn)換技術(shù)、內(nèi)部高速緩存技術(shù)、高性能FTL控制技術(shù)以及多通道NAND Flash并行控制技術(shù)等。
先進接口協(xié)議轉(zhuǎn)換技術(shù)主要是實現(xiàn)當(dāng)今固態(tài)存儲設(shè)備最為先進的NVMe接口協(xié)議，實現(xiàn)存儲設(shè)備與主機間數(shù)據(jù)的高速傳輸。
高速緩存技術(shù)主要是采用多片DDR4高速緩存芯片，通過“乒乓操作”實現(xiàn)讀寫數(shù)據(jù)的高速緩存以及地址映射表的動態(tài)加載。
高性能FTL控制技術(shù)主要是實現(xiàn)固態(tài)存儲控制中的多種控制功能，主要包括地址映射、垃圾回收、損耗均衡、壞塊管理以及掉電保護等。通過對上述功能的實現(xiàn)與優(yōu)化，在實現(xiàn)對NAND Flash的高速讀寫操作的同時，提高整個固態(tài)存儲設(shè)備的可靠性。
多通道并行技術(shù)，由于單片NAND Flash芯片讀寫速度以及存儲容量都是有限，因此通過對多片NAND Flash的并行讀寫操作才能夠提高讀寫速度以及存儲容量。
同時為滿足軍工、金融以及電信等行業(yè)對數(shù)據(jù)可靠性的需求，存儲控制技術(shù)還將實現(xiàn)高性能數(shù)據(jù)加解密技術(shù)以及快速物理銷毀技術(shù)，以保證所存儲數(shù)據(jù)的高可靠性。
供應(yīng)單位 西北工業(yè)大學(xué)計算機測控與仿真技術(shù)研究所
聯(lián)系方式 029-88460477-801