【技術(shù)簡(jiǎn)介】本項(xiàng)目圍繞探測(cè)器用CdZnTe晶體的制備與開(kāi)發(fā)應(yīng)用，采用改進(jìn)的垂直布里奇曼技術(shù)，通過(guò)合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探索了優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)和退火改性工藝，生長(zhǎng)出滿足探測(cè)器要求的高性能CdZnTe晶體。圍繞對(duì)X射線和γ射線等不同能量射線檢測(cè)及應(yīng)用的要求，解決了探測(cè)器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難題，建立了探測(cè)器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線，制備了對(duì)X射線和γ射線響應(yīng)良好的CdZnTe探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了CdZnTe晶體和探測(cè)器的小批量生產(chǎn)。

　　【技術(shù)特點(diǎn)】 
　　（1）高能量分辨率；
　?。?）高探測(cè)效率；
　?。?）高穩(wěn)定性；
　?。?）室溫使用；

　　【技術(shù)水平】
　?。?）CdZnTe晶錠直徑：≥60mm；
　?。?）單晶尺寸：5´5´3mm；10´10´10mm；20´20´5m；，
　?。?）晶體電阻率：≥1010W cm；
　?。?）晶體載流子輸運(yùn)特性mt≥10-3 cm2/V；
　?。?）CdZnTe探測(cè)器對(duì)241Am@59.5KeV的能量分辨率：＜5%；
　　（6）CdZnTe探測(cè)器對(duì)137Cs@662KeV的能量分辨率： ＜2%。

　　【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】適用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、核技術(shù)、醫(yī)學(xué)診斷、工業(yè)無(wú)損檢測(cè)、安全檢查、天文觀測(cè)。

　　【專利狀態(tài)】已獲得專利11項(xiàng)。

　　【技術(shù)狀態(tài)】 小批量生產(chǎn)階段

　　【合作方式】技術(shù)轉(zhuǎn)讓

　　【投入需求】本項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化總投資約需2億元，主要包括廠區(qū)平面、工藝廠房、輔助廠房、辦公生活區(qū)建筑、工藝設(shè)備、動(dòng)力設(shè)備購(gòu)置及安裝等。

　　【預(yù)期效益】本項(xiàng)目的建成對(duì)提高和健全我國(guó)輻射探測(cè)器晶體材料產(chǎn)業(yè)具有十分重大的意義，將打破美國(guó)、加拿大等國(guó)對(duì)第三代輻射探測(cè)器CZT晶體生長(zhǎng)技術(shù)的壟斷，進(jìn)一步促進(jìn)CZT材料在各類輻射探測(cè)器領(lǐng)域的應(yīng)用。
　　項(xiàng)目完成后將形成CZT晶體材料及元件的批量生產(chǎn)能力，配置60臺(tái)晶體生長(zhǎng)爐，產(chǎn)能達(dá)到2000萬(wàn)立方毫米/年，銷售額11600萬(wàn)元/年。

　　【聯(lián)系方式】李源  029-88430816