磷化鋅鍺 (ZnGeP2， ZGP)和砷化鍺鎘(CdGeAs2， CGA)晶體是黃銅礦類半導體晶體中綜合性能最好的，這兩種晶體是所有已知的非線性光學晶體中非線性系數(shù)最高者之一。本人于2003年獲得國家自然科學基金資助，進行ZGP的研制；同時，2003年1月-2004年1月獲國家教委留學基金資助，在美國斯坦福大學先進材料實驗室Feigelson教授研究組從事ZnGeP2和CdGeAs2晶體的生長研究工作。在此工作的1年時間里，生長CdGeAs2和CdGe(As1-xPx)2 晶體23根，共獲得測試樣品110塊，進行了吸收系數(shù)、電子順磁共振、電子顯微探針、霍爾效應的測試，取得了很好的實驗結(jié)果。另外，應英國皇家學院和牛津大學的共同邀請于2004年8月至10月，在牛津大學材料系通過先進的測試儀器對磷化鍺鋅晶體的微觀結(jié)構(gòu)進行了深入細致的研究。目前，生長出的晶體性能達到國際先進水平，尺寸長度達到10cm。 應用領(lǐng)域：    利用它作為光參量振蕩、光參量放大、二次諧波、四次諧波等的非線性介質(zhì)材料，可以在中、遠紅波段的頻率轉(zhuǎn)換方面獲得廣闊的應用前景，尤其是對激光功率要求較高的領(lǐng)域，獲得廣闊的應用前景，如紅外光譜、紅外醫(yī)療器械、藥物檢測、紅外光刻、大氣中有害物質(zhì)的監(jiān)測、遠距離化學傳感、紅外激光定向干擾、夜視儀等。