氮化鎵(GaN)晶片作為第三代半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵材料，是未來新一代光電子、功率電子和高頻微電子器件的關(guān)鍵支撐材料。其核心技術(shù)是氫化物氣相外延。在流體動力學(xué)模擬、應(yīng)用控制技術(shù)、襯底分離技術(shù)、摻雜技術(shù)、研磨拋光技術(shù)等多方面取得突破，實現(xiàn)了氮化鎵(GaN)晶片的成套制備技術(shù)，各項技術(shù)指標達到國際先進水平。

　　合作方式面議

　　聯(lián)系單位中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

　　聯(lián)系人周揚

　　聯(lián)系電話13912612332

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