合作信息
新型功能性連續(xù)SiC自由薄膜
發(fā)布單位：廈門大學
所屬行業(yè)：新材料
合作信息類型：意向合作
機構類型：企業(yè)
供求關系：供應
合作信息期限：2017-1
參考價格：面議
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合作信息簡介
成果名稱：新型功能性連續(xù)SiC自由薄膜
成果擁有單位：廈門大學
成果簡介：
本項目處于國際領先水平。主要創(chuàng)新點：(1)采用熔融紡膜與先驅(qū)體轉化法相結合制備出了新型的功能性連續(xù)SiC自由薄膜(厚度8~100微米，寬度20毫米，連續(xù)長度>100米);(2)從原料的合成階段引入異質(zhì)元素改性，制備出了耐超高溫、低電阻率及高頻發(fā)光特性的連續(xù)SiC(Al)自由薄膜及適合太陽能電池窗口材料的P型光伏薄膜。主要特色：自由薄膜制備具有成本低、工藝簡單、可工程化及結構功能一體化等特點，所制備的產(chǎn)品具有厚度與成分可控、高頻寬譜帶藍光、紫外光發(fā)射、強抗輻射能力、耐磨損、耐高溫及化學穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性。此外，利用連續(xù)SiC自由薄膜獨特的性質(zhì)可在其表面形成一層連續(xù)的SiO2氧化層，這對各種制作以MOS為基礎的器件非常有利。
項目組已突破了具有光電特性的連續(xù)SiC自由薄膜的關鍵技術，并制備出多種組分PCS先驅(qū)體，掌握了連續(xù)SiC自由薄膜不熔化交聯(lián)預處理與高溫裂解燒結的關鍵工藝，形成了連續(xù)SiC自由薄膜材料小批量生產(chǎn)能力。本技術已申報并公開了“一種碳化硅薄膜成型裝置與碳化硅薄膜的制備方法”(CN101219788)、“一種發(fā)光碳化硅薄膜的制備方法”(CN 101275075)等6項國家發(fā)明專利，在國內(nèi)外重要學術刊物上發(fā)表論文6篇。連續(xù)SiC自由薄膜由于具有禁帶寬度大、致密度高、缺陷密度小、自支撐與無束縛、電子遷移率高、熱導率高、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性好以及與硅集成電路工藝兼容等特性而成為理想的新型寬帶隙半導體材料，在微機電系統(tǒng)(MEMS)、光電集成器件、藍光發(fā)光器件、光伏器件、高溫紫外光敏器件及高溫壓力傳感器等高技術領域上都顯示了很大的優(yōu)越性，其應用前景十分廣闊。投產(chǎn)條件：以年產(chǎn)50~100公斤連續(xù)SiC自由薄膜需投資約200~250萬元，用于添置高溫高壓釜、熔融紡絲機、真空脫泡爐、中高溫真空氣氛燒結爐等設備，廠房面積約800～1000平方米。效益分析：生產(chǎn)該產(chǎn)品投資回收期在2~3年。投資利潤達200%-300%，投資收益率達300%以上，投資凈產(chǎn)值率達200%-300%，成本利潤率達到450%。根據(jù)有關統(tǒng)計，本產(chǎn)品開發(fā)到投入市場，年產(chǎn)值增加5000萬，利潤增加3000萬，創(chuàng)稅500萬，具有非?？捎^的經(jīng)濟效益。
合作方式：技術轉讓或聯(lián)合開發(fā)。
聯(lián)系方式：
聯(lián) 系 人：馮祖德 電話：0592-2181538/15960298715
E – mail ：zdfeng@xmu.edu.cn
成果擁有單位：廈門大學
成果簡介：
本項目處于國際領先水平。主要創(chuàng)新點：(1)采用熔融紡膜與先驅(qū)體轉化法相結合制備出了新型的功能性連續(xù)SiC自由薄膜(厚度8~100微米，寬度20毫米，連續(xù)長度>100米);(2)從原料的合成階段引入異質(zhì)元素改性，制備出了耐超高溫、低電阻率及高頻發(fā)光特性的連續(xù)SiC(Al)自由薄膜及適合太陽能電池窗口材料的P型光伏薄膜。主要特色：自由薄膜制備具有成本低、工藝簡單、可工程化及結構功能一體化等特點，所制備的產(chǎn)品具有厚度與成分可控、高頻寬譜帶藍光、紫外光發(fā)射、強抗輻射能力、耐磨損、耐高溫及化學穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性。此外，利用連續(xù)SiC自由薄膜獨特的性質(zhì)可在其表面形成一層連續(xù)的SiO2氧化層，這對各種制作以MOS為基礎的器件非常有利。
項目組已突破了具有光電特性的連續(xù)SiC自由薄膜的關鍵技術，并制備出多種組分PCS先驅(qū)體，掌握了連續(xù)SiC自由薄膜不熔化交聯(lián)預處理與高溫裂解燒結的關鍵工藝，形成了連續(xù)SiC自由薄膜材料小批量生產(chǎn)能力。本技術已申報并公開了“一種碳化硅薄膜成型裝置與碳化硅薄膜的制備方法”(CN101219788)、“一種發(fā)光碳化硅薄膜的制備方法”(CN 101275075)等6項國家發(fā)明專利，在國內(nèi)外重要學術刊物上發(fā)表論文6篇。連續(xù)SiC自由薄膜由于具有禁帶寬度大、致密度高、缺陷密度小、自支撐與無束縛、電子遷移率高、熱導率高、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性好以及與硅集成電路工藝兼容等特性而成為理想的新型寬帶隙半導體材料，在微機電系統(tǒng)(MEMS)、光電集成器件、藍光發(fā)光器件、光伏器件、高溫紫外光敏器件及高溫壓力傳感器等高技術領域上都顯示了很大的優(yōu)越性，其應用前景十分廣闊。投產(chǎn)條件：以年產(chǎn)50~100公斤連續(xù)SiC自由薄膜需投資約200~250萬元，用于添置高溫高壓釜、熔融紡絲機、真空脫泡爐、中高溫真空氣氛燒結爐等設備，廠房面積約800～1000平方米。效益分析：生產(chǎn)該產(chǎn)品投資回收期在2~3年。投資利潤達200%-300%，投資收益率達300%以上，投資凈產(chǎn)值率達200%-300%，成本利潤率達到450%。根據(jù)有關統(tǒng)計，本產(chǎn)品開發(fā)到投入市場，年產(chǎn)值增加5000萬，利潤增加3000萬，創(chuàng)稅500萬，具有非?？捎^的經(jīng)濟效益。
合作方式：技術轉讓或聯(lián)合開發(fā)。
聯(lián)系方式：
聯(lián) 系 人：馮祖德 電話：0592-2181538/15960298715
E – mail ：zdfeng@xmu.edu.cn
