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IGBT用陶瓷覆銅基板
關(guān)鍵字:
IGBT
陶瓷
覆銅基板
所屬行業(yè):
新材料
發(fā)布時(shí)間:
2015-03-02
價(jià)格:
所在地區(qū):
安徽 合肥
合作信息期限:
2016年2月
合作信息類(lèi)型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類(lèi)型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡(jiǎn)介:
【技術(shù)簡(jiǎn)介】陶瓷覆銅基板利用銅的含氧共晶體直接將銅覆接在陶瓷上,其基本原理是覆接過(guò)程前或過(guò)程中在銅與陶瓷之間引入適量的氧元素,在1065 ℃~1083 ℃范圍內(nèi)(低于銅的熔點(diǎn)1083 ℃),銅與氧形成銅—氧共晶體,該共晶體一方面與陶瓷發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成尖晶石的物質(zhì),另外一方面浸潤(rùn)銅箔和陶瓷實(shí)現(xiàn)了..
發(fā)布機(jī)構(gòu):
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所
氮化鋁多層陶瓷及覆銅基板
關(guān)鍵字:
氮化鋁
多層陶瓷
覆銅基板
所屬行業(yè):
新材料
發(fā)布時(shí)間:
2015-03-02
價(jià)格:
所在地區(qū):
河北 石家莊
合作信息期限:
2016年2月
合作信息類(lèi)型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類(lèi)型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡(jiǎn)介:
【技術(shù)簡(jiǎn)介】氮化鋁陶瓷具有高的導(dǎo)熱率、低的熱膨脹系數(shù)、高的絕緣特性和良好的機(jī)械強(qiáng)度及無(wú)毒等特點(diǎn),而成為新一代高導(dǎo)熱絕緣散熱材料,而在微電子、光電子、電力電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。氮化鋁多層陶瓷基板是利用多層共燒技術(shù)而制成的高導(dǎo)熱高密度基板,覆銅陶瓷基板是在高溫下將高導(dǎo)電無(wú)氧..
發(fā)布機(jī)構(gòu):
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
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