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高性能氮化鎵基電子材料
關(guān)鍵字:
微電子
氮化鎵
所屬行業(yè):
機(jī)械、電子信息、先進(jìn)裝備制造
發(fā)布時(shí)間:
2015-06-02
價(jià)格:
所在地區(qū):
北京 海淀區(qū)
合作信息期限:
2016年12月
合作信息類型:
意向合作
機(jī)構(gòu)類型:
企業(yè)
供求關(guān)系:
供應(yīng)
合作信息簡(jiǎn)介:
【技術(shù)領(lǐng)域】微電子與電子信息 【技術(shù)開(kāi)發(fā)單位】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【技術(shù)簡(jiǎn)介】采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法,在藍(lán)寶石或碳化硅襯底上外延高性能氮化鎵(GaN)基電子材料。 【技術(shù)特點(diǎn)】采用本技術(shù)制備GaN基電子材料,生長(zhǎng)速度快,產(chǎn)量高,質(zhì)量、重復(fù)性和均勻性..
發(fā)布機(jī)構(gòu):
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
共
1
頁(yè) 總數(shù):
2
條
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