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高性能功率VDMOS/IGBT晶體管
關鍵字:
高性能
VDMOS/IGBT
晶體管
所屬行業(yè):
電子信息
發(fā)布時間:
2015-01-29
價格:
所在地區(qū):
陜西 西安
合作信息期限:
2016年2月
合作信息類型:
成果轉讓
機構類型:
企業(yè)
供求關系:
供應
合作信息簡介:
【技術簡介】功率VDMOS場效應晶體管是新一代大功率半導體器件,其主要優(yōu)點是開關速度快、驅動功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。 功率MOS晶體管一般用作開關電源或電機控制器的主開關器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此,新型功率MOS晶體管是高新設備中非常重要的基礎器件..
發(fā)布機構:
西安衛(wèi)光科技有限公司
高性能功率IGBT晶體管的關鍵技術
關鍵字:
IGBT晶體管
所屬行業(yè):
電子信息
發(fā)布時間:
2015-01-20
價格:
所在地區(qū):
陜西 西安
合作信息期限:
2016年1月
合作信息類型:
技術協(xié)作
機構類型:
企業(yè)
供求關系:
供應
合作信息簡介:
【技術簡介】功率IGBT晶體管是新一代大功率半導體器件,其主要優(yōu)點是開關迅速、驅動功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。 由于開關迅速,在開關電源等變流裝置中,可使電路在更高的頻率下工作,因此可大大減小變壓器的體積和重量。由于驅動功率小,使驅動電路大大簡化,元器件數(shù)量減少,故障..
發(fā)布機構:
西安衛(wèi)光科技有限公司
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