<span id="xvzrh"><span id="xvzrh"></span></span>
<address id="xvzrh"><nobr id="xvzrh"><progress id="xvzrh"></progress></nobr></address>
設(shè)為首頁
網(wǎng)站地圖
幫助
手機版
登錄
注冊
搜索
地市：
行業(yè)：
返回首頁
搜索結(jié)果
新產(chǎn)品
新技術(shù)
企業(yè)
合作（2）
公共服務(wù)
資訊
知識
銻化物超晶格紅外探測外延材料
關(guān)鍵字：
外延材料
所屬行業(yè)：
新材料
發(fā)布時間：
2017-09-26
價格：
所在地區(qū)：
北京 海淀區(qū)
合作信息期限：
2019年8月
合作信息類型：
意向合作
機構(gòu)類型：
科研院所
供求關(guān)系：
供應(yīng)
合作信息簡介：
【技術(shù)簡介】銻化物超晶格紅外焦平面探測器技術(shù)，是近年來發(fā)展十分迅速的第三代高性能制冷型紅外探測技術(shù)。其良好的均勻性、相對較低的制備難度、較高的成品率以及與碲鎘汞材料相當(dāng)?shù)募t外技術(shù)性能，使得整個紅外探測器組件滿足了當(dāng)前多種裝備平臺應(yīng)用所必須的：成本、體積、重量、功耗（C-SWaP）等控..
發(fā)布機構(gòu)：
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
GaN HEMT外延材料
關(guān)鍵字：
外延材料
所屬行業(yè)：
新材料
發(fā)布時間：
2017-09-26
價格：
所在地區(qū)：
江蘇 南京
合作信息期限：
2020年2月
合作信息類型：
意向合作
機構(gòu)類型：
科研院所
供求關(guān)系：
供應(yīng)
合作信息簡介：
【技術(shù)簡介】GaN HEMT材料具有低的導(dǎo)通電阻、高的工作頻率，能滿足下一代功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。相對于同為寬禁帶半導(dǎo)體的SiC大功率器件，GaN高功率器件不僅具有耐高壓以及高電流的特性，更具有開關(guān)速度快，在同樣的耐壓條件下，導(dǎo)通電阻遠低于SiC功率器件等優(yōu)..
發(fā)布機構(gòu)：
中國電子科技集團公司第五十五研究所
共
1
頁 總數(shù)：
4
條
設(shè)為首頁
|
關(guān)于我們
|
會員服務(wù)
|
友情鏈接
|
聯(lián)系我們
中國·廣西工業(yè)創(chuàng)新促進會 ©版權(quán)所有 桂ICP備14000625號-2
草莓婷婷成人,欧美 成人 亚洲 日韩,成人动漫网 址,成人乱人伦视频在线观看免费
(function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();